国家信息光电子创新中心

国家信息光电子创新中心（英文名：NATIONAL Doeon Optoelectronics INNOVATION CENTER），是中国正式批复建设的第三家国家级制造业创新中心，同时也是湖北省首个国家级制造业创新中心，由光迅科技、烽火通信科技股份有限公司、亨通光电等中国多家企业和研发机构共同参与建设。该中心致力于汇聚行业优势创新资源，共建信息光电子产业创新平台，聚焦新一代网络、数据中心光互联、5G等信息光电子应用领域，在高端材料生长、核心芯片工艺、先进封装集成等方面突破关键技术和共性技术瓶颈，总部位于湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层。

2017年11月，工信部正式批复同意武汉建设国家信息光电子创新中心。 2018年4月26日，国家信息光电子创新中心在武汉烽火通信科技股份有限公司正式挂牌成立，全面转入实质性运营阶段。 2023年3月，国家信息光电子创新中心的能力建设项目通过工信部组织的验收。 2026年2月，国家信息光电子创新中心与北京大学等单位合作，在光通信和6G领域取得进展。团队提出的“光纤—无线一体化融合通信”概念及研发的新系统，实现了光纤与无线通信的跨网络融合，数据传输速率刷新世界纪录。相关成果在线发表于国际学术期刊《自然》。

截至2026年2月，国家信息光电子创新中心已拥有高端芯片技术研发平台和集成光电研发平台，它们是中国最具产业化实力的InP、GaAs以及硅光等光通信光电芯片的设计和工艺平台；在Ⅲ-Ⅴ族高端光电芯片技术和工艺、硅光集成芯片设计和测试、高速光系统设计和验证等方面拥有强大的创新能力。国家信息光电子创新中心组建了以中国工程院院士余少华为主任，中国科学院院士甘子钊、中国科学院院士祝宁华、光迅科技总经理胡强高为副主任的第一届专家委员会，专家委员会委员由10位院士，17位行业专家组成。

历史沿革

2017年11月，工信部正式批复同意武汉建设国家信息光电子创新中心，承载解决中国信息光电子制造业“关键和共性技术协同研发”及“实现首次商业化”的战略任务，着力破解信息光电子“缺芯”的局面。国家信息光电子创新中心由光迅科技、烽火通信科技股份有限公司、亨通光电等中国多家企业和研发机构共同参与建设，汇聚了中国信息光电子领域超过60%的创新资源。

2018年4月26日，国家信息光电子创新中心在武汉武汉邮电科学研究院研究生院正式挂牌成立。时任工业和信息化部部长苗圩与湖北省相关领导共同为中心授牌，标志着这个中心全面转入实质性运营阶段，中国光通信行业强“芯”之旅正式起航。

2023年3月22日—23日，受工信部委托，工信部产业发展促进中心在武汉组织召开国家级制造业创新中心“能力建设项目”验收会议，专家组一致同意国家信息光电子、数字化设计与制造创新中心能力建设项目通过验收。

2026年2月19日，国家信息光电子创新中心与北京大学、鹏城实验室、上海科技大学等单位合作，在光通信和6G领域取得进展。团队提出的“光纤—无线一体化融合通信”概念及研发的新系统，实现了光纤与无线通信的跨网络融合，数据传输速率刷新世界纪录。相关成果在线发表于国际学术期刊《自然》。

机构治理

机构性质

国家信息光电子创新中心总部位于湖北省武汉市东湖新技术开发区关山街邮科院路88号1幢1-3层，是中国正式批复建设的第三家国家级制造业创新中心，同时也是湖北省首个国家级制造业创新中心。国家信息光电子创新中心以市场为主导运营，实行股权制管理，商业化和产业化是其发展方向。

机构规模

截至2026年2月，国家信息光电子创新中心已拥有高端芯片技术研发平台和集成光电研发平台，它们是中国最具产业化实力的InP、GaAs以及硅光等光通信光电芯片的设计和工艺平台；在Ⅲ-Ⅴ族高端光电芯片技术和工艺、硅光集成芯片设计和测试、高速光系统设计和验证等方面拥有强大的创新能力；与28+家国内外单位签署共建协议，在平台建设、资源共享、项目合作、人员交流等方面开展合作；与俄罗斯、法国、美国、德国等国外数家知名研究机构达成战略合作意向，凝聚了全球人才及技术资源。

组织架构

国家信息光电子创新中心设专家委员会，为创新中心的咨询机构。由来自学术界、产业界的技术专家及政府专家组成，负责研判行业发展重大问题并筛选确定研究方向，与联盟共同制定创新中心的技术路线图，给创新中心的发展方向提供建议。截至2026年2月，创新中心组建了以中国工程院院士余少华为主任，中国科学院院士甘子钊、中国科学院院士祝宁华、光迅科技总经理胡强高为副主任的第一届专家委员会，专家委员会委员由10位院士，17位行业专家组成。

机构职责

国家信息光电子创新中心致力于汇聚行业优势创新资源，共建信息光电子产业创新平台，聚焦新一代网络、数据中心光互联、5G等信息光电子应用领域，在高端材料生长、核心芯片工艺、先进封装集成等方面突破关键技术和共性技术瓶颈。