化 是一种由铟和砷构成的Ⅲ一V族化合物半导体材料， 化学式 为InAs。它是灰色的 立方晶系 ， 熔点 为942°C。砷化铟与镓 砷化物 具有相似的性质，是一种直接带隙材料，在室温下的带隙为0.35 eV。砷化铟被广泛用于制造红外探测器，其波长范围为1-3.8 µm，通常采用光伏 光电二极管 制造。砷化铟也用于制造二极激光器。此外，砷化铟因其高电子迁移率和窄 能隙 而被广泛用作太赫兹辐射源。2017年， 世界卫生组织 国际癌症研究机构 将砷和无机砷化合物列入1类致癌物清单。
物理结构
常温呈银灰色固体，具有 闪锌矿 型的 晶体结构 ，晶格 常数 为0.6058nm，密度为5.66g/cm(固态)、5.90g/cm( 熔点 时液态)。 能带结构 为直接跃迁，禁带宽度(300K)0.45eV。InAs 相图 如图所示。
InAs在熔点(942℃)时砷的离解压只有0.033MPa，可在常压下由熔体生长单晶。常用的有HB和LEC方法，单晶直径达φ50mm。
InAs是一种难于纯化的半导体材料。非掺In．As单晶的剩余载流子浓度高于l×10/cm，室温电子迁移率3.3×10^3cm/(V·s)， 空穴 迁移率460cm/(V·s)。硫在In．As中的有效分凝系数接近1，故用作n型掺杂剂，以提高纵向载流子浓度分布的均匀性。工业用的InAs(s)单晶，n≥1×10/cm3，μ≤2.0×10cm/(V·s)，EPD≤5×10/cm。
功能用途
InAs 晶体 具有较高的电子迁移率和迁移率比值(μe/μh=70)，低的磁阻效应和小的 电阻 温度系数，是制造霍耳器件和磁阻器件的理想材料。InAs的发射波长3.34μm，在InAs衬底上能生长晶格匹配的In—GaAsSb、InAsPSb和InAsSb多元外延材料，可制造2～4μm波段的光纤通信用的激光器和探测器。