释词：电流载体，称载流子。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如 电子 和离子。在半导体物理学中，电子流失导致 共价键 上留下的空位（ 空穴 引）被视为载流子。金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。在 电场 作用下能作定向运动的 带电粒子 。如半 导体 中的自由电子与空穴，导体中的自由电子， 电解液 中的正、 阴离子 ，放电气体中的离子等。
推算公式
在本征半导体中只发生热激发时，电子数目等于空穴数目，这时 热平衡 载流子浓度为
式中 为 电子 质量，kg; *为电子 有效质量 ,kg; *为 空穴 有效质量，kg;k为 路德维希·玻尔兹曼 常数 ，J/K; 为禁带宽度，eV;ni为本征载流子浓度， ;T为 开尔文 ，K。
对于 杂质半导体 ,N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴称为多数载流子（简称多子），而N型半导体中的空穴和P型半导体中的电子称为少数载流子（简称少子）。在强 电离 的情况下，N型半导体中多子浓度 及少子浓度 分别为
P型半导体中多子浓度 及少子浓度 分别为
上二式中 为施主杂质浓度， ;NA为受主杂质浓度， 。
如果对半导体施加外界作用（如用光的或电的方法），破坏了 热平衡 条件，使半导体处于与热平衡状态相偏离的状态，则称为非平衡状态。处于非平衡状态的半导体，其载流子比平衡状态时多出来的那一部分载流子称为非平衡载流子。在N型半导体中，把非平衡电子称为非平衡多数载流子，非平衡 空穴 称为非平衡少数载流子。对P型半导体则相反。在 半导体器件 中，非平衡少数载流子往往起着重要的作用。
载流子与半导体的关系
载流子，是承载电荷的、能够自由移动以形成电流的物质粒子。半 导体 的性质跟导体和 绝缘体 不同，是因为其 能带结构 不同；而半导体的导电能力可以控制，主要是因为其载流子的种类和数量与导体和绝缘体不同，并且可以受到控制，其调节手段就是“掺杂”，即往纯净的半导体中掺入杂质，来改变其载流子数量、分布和运动趋势，从而改变整体导电性能。
绝缘体和金属 导体 的载流子是 电子 ，而半导体除了电子外，还有一种载流子叫 空穴 。另外还有 阳离子 、 阴离子 也都带有电荷，但是在半导体中，它们一般不会流动，所以认为半导体的载流子就是电子和空穴这两种。
电子作为载流子容易理解，因为物质中的 原子 是由 原子核 和电子组成的，在一定条件下挣脱原子核束缚的自由电子可以运动，因而产生电流。而所谓空穴，就是由于电子的缺失而留下的空位。这就好像车与车位的关系，假设有一排共5个车位，从左边开始按顺序停了4辆车，最右边有1个空位，如果最左边的车开到最右边的空位上去，那么最左边的车位就空出来了。看起来好像是空位从右边到了左边，这是一种相对运动，车从左到右的移动，相当于空位从右到左的移动。同样道理，带负电的 电子 的运动，可看作是带正电的 空穴 的反方向运动。在没有杂质的纯净半导体中，受热激发产生的移动的电子数量和空穴数量是 相等 的，因为带负电的电子和带正电的空穴会进行复合，在数量大致相等的情况下，“产生”和“复合”会达到一个 动态平衡 ，这样宏观上看来并没有产生有效电流。为了改善其导电性能，就引入了掺杂手段。
对 集成电路 来说，最重要的 半导体材料 是硅。硅 原子 有4个 价电子 ，它们位于以 原子核 为中心的四面体的4个顶角上。这些价电子会与其他硅原子的价电子结合成 共价键 ，大量的硅原子以这种方式互相结合，形成结构规律的 晶体 。如果给它加入 （或磷），砷最外层有5个 电子 ，其中4个电子也会跟硅原子的4个价电子结合成共价键，把砷原子固定在硅材料的晶格中。此时会多出1个自由电子，这个电子跃迁至 导带 所需的能量较低，容易在硅晶格中移动，从而产生电流。这种掺入了能提供多余电子的杂质而获得导电能力的半导体称为N型半导体，“N”为Negative，代表带负电荷的意思。如果我们在纯硅中掺入硼（B），如下图，因为硼的 价电子 只有3个，要跟硅 原子 的4个价电子结
合成 共价键 ，就需要吸引另外的1个 电子 过来，这样就会形成一个 空穴 ，作为额外引入的载流子，提供导电能力。这种掺入可提供空穴的杂质后的半导体，叫做P型半导体，“P”是Positive，代表带来正电荷的意思。
需要注意的是，掺入杂质后的半导体中仍然同时具有电子和空穴这两种载流子，只是各自数量不同。在N型半导体中，电子（带负电荷）居多，叫多数载流子，空穴（带正电荷）叫少数载流子。在P型半导体中，则反之：空穴为多数载流子，电子为少数载流子；可以分别简称为“多子”、“少子”。