物理气相沉积，英文Physical Vapor Deposition，简称PVD。该技术指在真空条件下，采用物理方法，将固体或液体材料源表面气化成气态原子、分子或部分 电离 成离子，并通过低压气体或 等离子体 ，在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。
PVD技术主要分为三类：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜，应用较广的是离子镀。随着沉积方法和技术的提升，目前，物理气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。
简介
物理气相沉积（PVD）是通过蒸发，电离或溅射等，产生气态粒子并在工件表面形成化合物沉积层的一种工艺。该项技术目前已广泛应用于镀膜行业。
真空蒸发镀膜、真空溅射镀和真空离子镀膜是三种典型的PVD镀膜技术，其中，离子镀应用最广。对应于上述三类PVD技术，相应的 真空镀膜设备 也就有真空蒸发镀膜机、真空溅射镀膜机和真空离子镀膜机这三种。
离子镀是借助于惰性气体辉光放电，使镀料（如 钛粉 ）气化蒸发离子化，离子经 电场 加速，以较高能量轰击工件表面，此时如通入 等反应气体，便可在工件表面获得TiC, 锡 覆盖层 ，硬度高达2000HV。离子镀的重要特点是沉积温度只有500℃左右，且覆盖层附着力强，适用于 高速钢 工具，热锻模等。
近十多年来，真空离子 镀膜 技术的发展是最快的，它已经成为当今最先进的 表面处理 方式之一。我们通常所说的PVD镀膜，指的就是真空离子镀膜；通常所说的PVD镀膜机，指的也就是真空离子镀膜机。
早在20世纪初，物理气相沉积技术就已有应用，但30年迅速发展，成为一门极具广阔应用前景的新技术，并向着环保型、清洁型趋势发展。20世纪90年代初至今，在钟表行业，尤其是高档手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为广泛的应用。
物理气相沉积技术的基本原理可分为三个工艺步骤：
1) 镀料的气化
即使镀料蒸发， 升华 或被溅射，也就是通过镀料的气化源。
2) 镀料 原子 、分子或离子的迁移
由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应。
3) 镀料原子、分子或离子在 基体 上沉积。
物理气相沉积技术工艺过程简单，对环境改善，无污染，耗材少，成膜均匀致密，与基体的结合力强。该技术广泛应用于航空航天、 电子 、光学、机械、建筑、轻工、冶金、材料等领域，可制备具有耐磨、耐腐蚀、装饰、导电、绝缘、 光导 、压电、磁性、润滑、 超导 等特性的 膜层 。
随着 高科技 及新兴工业发展，物理气相沉积技术出现了不少新的先进的亮点，如 多弧离子镀 与 磁控溅射 兼容技术，大型矩形长弧靶和溅射靶，非平衡磁控溅射靶，孪生靶技术，带状泡沫多弧沉积卷绕镀层技术，条状纤维织物卷绕镀层技术等，使用的镀层成套设备，向 计算机 全自动，大型化工业规模方向发展。
详述
真空蒸镀
(一) 真空蒸镀原理
真空蒸镀是在真空条件下，将镀料靶材加热并蒸发，使大量的原子、分子气化并离开液体镀料或离开固体镀料表面(升华)。在整个过程中，气态的原子、分子在真空中经过很少的碰撞直接迁移到基体。气态的原子、分子沉积在基体表面形成薄膜。
(二) 蒸发源
将镀料加热到蒸发温度并使之气化，这种加热装置称为蒸发源。最常用的蒸发源是 电阻 蒸发源和电子束蒸发源，特殊用途的蒸发源有高频感应加热、电弧加热、辐射加热、激光加热蒸发源等。
(三) 真空蒸镀工艺实例
以塑料金属化为例，真空蒸镀工艺包括：镀前处理、镀膜及后处理。
真空蒸镀的基本工艺过程如下：
9)出炉、取件后，关闭真空室，抽真空至0.1Pa，扩散泵冷却到允许温度，才可关闭维持泵和冷却水。
溅射镀膜
溅射镀膜是指在真空条件下，利用获得动能的粒子（如氩离子）轰击靶材料表面，使靶材表面原子获得足够的能量而逃逸的过程称为溅射。被溅射的靶材沉积到基材表面，就称作溅射镀膜。溅射镀膜中的 单射 离子，一般采用辉光放电获得，在10-2Pa～10Pa范围，所以溅射出来的粒子在飞向基体过程中，易和真空室中的气体分子发生碰撞，使运动方向随机，沉积的膜易于均匀。发展起来的规模性磁控溅射镀膜，沉积 速率 较高，工艺重复性好，便于自动化，已适当于进行大型建筑装饰镀膜，及工业材料的功能性镀膜，如TGN-JR型用多弧或磁控溅射在卷材的泡沫塑料及纤维织物表面镀镍[niè]Ni及银Ag的生产制备。
等离子体镀膜
离子镀膜基本原理是在真空条件下，采用某种等离子体 电离 技术，使镀料原子部分电离成离子，同时产生许多高能量的中性原子，在被镀基体上加负偏压。这样在深度负偏压的作用下，离子沉积于基体表面形成薄膜。
PVD领域通常采用的冷阴极电弧蒸发，以固体镀料作为阴极，采用水冷、使冷阴极表面形成许多亮斑，即阴极弧斑。弧斑就是电弧在阴极附近的弧根。在极小空间的 电流密度 极高，弧斑尺寸极小，估计约为1μm～100μm，电流密度高达105A/cm2～107A/cm2。每个弧斑存在极短时间，爆发性地蒸发离化阴极改正点处的镀料，蒸发离化后的金属离子，在阴极表面也会产生新的弧斑，许多弧斑不断产生和消失，所以又称多弧蒸发。最早设计的 等离子体 加速器型多弧蒸发离化源，是在阴极背后配置 磁场 ，使蒸发后的离子获得霍尔(hall)加速效应，有利于离子增大能量轰击量体，采用这种电弧蒸发离化源镀膜，离化率较高，所以又称为电弧等离子体镀膜。由于镀料的蒸发离化靠电弧，所以属于区别于其他蒸发手段。
离子镀
离子镀技术最早在1963年由D．M．Mattox提出.1972年，Bunshah和Juntz等人推出了活性反应蒸发离子镀(AREIP)技术，成功沉积了 锡 、TiC等超硬膜。1972年，Moley和Smith等人发展完善了空心 热阴极 离子镀。l973年又发展出 射频 离子镀(RFIP)。20世纪80年代，再发展出 磁控溅射 离子镀(MSIP)和 多弧离子镀 (MAIP)技术。
(一)离子镀
离子镀的基本特点是采用 电子 束蒸发磁控溅射或多弧蒸发离化等方法，使中性粒子 电离 成离子和电子，在 基体 上必须施加负偏压，从而使离子对基体产生轰击，适当降低负偏压后，使离子进而沉积于基体成膜。
离子镀的优点如下：① 膜层 和基体结合力强。②膜层均匀，致密。③在负偏压作用下绕镀性好。④无污染。⑤多种基体材料均适合于离子镀。
(二) 反应性离子镀
如果采用 电子束蒸发源 蒸发，在 埚上方加20V～100V的正偏压。在真空室中导入反应性气体。如 等代替Ar，或混入Ar，电子束中的高能电子(几千至几万电子伏特)，不仅使镀料熔化蒸发，而且能在熔化的镀料表面激励出 二次电子 ，这些二次电子在上方正偏压作用下加速，与镀料蒸发中性粒子发生碰撞而 电离 成离子，在工件表面发生离化反应，从而获得 氧化物 (如 、 、 等)。其特点是沉积率高，工艺温度低。
(三) 多弧离子镀
多弧离子镀又称作 电弧 离子镀，由于在 阴极 上有多个弧斑持续呈现，故称作“多弧”。多弧离子镀的主要特点如下： 1) 阴极电弧蒸发离化源可从固体阴极直接产生 等离子体 ，而不产生熔池，所以可以任意方位布置，也可采用多个蒸发离化源。
2)镀料的离化率高，一般达60%～90%，显著提高与 基体 的结合力改善 膜层 的性能。
3)沉积 速率 高，改善 镀膜 的效率。