锑化 是一种由铟和 锑 组成的金属间化合物，可由铟和锑两种 单质 高温反应制得。它是一种 半导体材料 ，广泛应用于制备、 红外线导引 导弹 制导和红外 天文学 等领域。锑化铟是制作波长为3～5μｍ的红外探测器的重要材料，用于制 太阳能光伏 型或 光导 型单元、多元及焦平面红外探测器以及磁敏器件。锑化铟的CAS号是1312-41-0，EINECS号是215-192-3， 分子式 是InSb，分子量是236.578。锑化铟在红外探测器中具有重要的应用，包括热成像相机、 FLIR 系统、红外 精确制导导弹 系统和红外天文学等领域。锑化铟 探测器 对1至5μm的红外波长非常敏感。此外，锑化铟还可作为太赫兹辐射源，因为它是一种强的 光电导效应 发射体
制备方法
锑和铟的化合物，金属锑和铟在高温熔合而得，具 闪锌矿 型结构的 晶体 。
衍生物
锑化铟 单晶 ( 铟 antimoningle crystal InSb)
共价键 结合，有一定 离子键 成分。 立方晶系 闪锌矿型结构，晶格 常数 0.6478nm。密度5.775g/cm3。 熔点 525℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV，本征 载流子 浓度1.1×1022/m3，本征 电阻率 6×10-4Ω·m，较纯晶体的 电子 和 空穴 迁移率为10和0.17m2/(V·s)。采用 区域熔炼 、直拉法制备。用于制作远红外 光电探测器 、霍耳器件和 磁阻 器件。