酸锂（LiNbO3）是一种铌、锂和氧的化合物，是一种负性 晶体 （n0>ne）。其 单晶 是 光波导 、移动电话、 压电传感器 、光学 调制器 和各种其它线性和 非线性光学 应用的重要材料。
铌酸锂晶体是目前用途最广泛的新型无机材料之一，它是很好的压电换能材料，铁电材料，电光材料。铌酸锂作为电光材料在光通讯中起到光调制作用。其单晶是光波导、移动电话、压电传感器、光学调制器和各种其它线性和非线性光学应用的重要材料。
物理化学性质
铌酸锂晶体简称LN，属 三方晶系 ， 钛铁矿 型(畸变 钙钛矿 型)结构。相对密度4.30，晶格 常数 a=0.5147 nm，c=1.3856 nm， 熔点 1240℃， 莫氏硬度 5， 折射率 n0=2.297，ne=2.208(λ=600 nm)， 介电常数 ε=44，ε=29．5，ε=84，ε=30，一次电光系数γ13=γ23=10×10pm/V，γ33=32×10pm/V．Γ22=-γ12=-γ61=6.8×10p m/V ，非线性系数d31=-6.3×1p0 m/V，d22=+3.6×10pm/V，d33=-47×10pm/V。铌酸锂是一种铁电晶体， 居里点 1140℃，自发 极化 强度50×10C/cm'，热导率0.056(W/cm·K)。经过畸化处理的铌酸锂晶体具有压电、铁电、光电、 非线性光学 、热电等多性能的材料，同时具有光折变效应。
生产方法
提拉法以 碳酸锂 、五氧化二铌为原料制备铌酸锂：将碳酸锂和五氧化二铌放入 铂金 埚中，沿(001)方向生长 晶体 。为得到优质无色透明圆柱体，必须在 晶体生长 的两个方向的两个端面的温度略高于居里温度时，再加一个适当大小的 电场 ，形成晶体后将晶体冷却至室温，即制得铌酸锂晶体。此外，薄膜铌酸锂的制备方法包括化学气相沉积（CVD）法等。CVD法沉积 速率 较高，能够制备大面积均匀的薄膜，适用于工业生产；但该方法存在一定局限性，部分前驱体毒性较高，且对工艺参数敏感，易产生缺陷，产量较低。
用途
在微波技术中用于调Q开关、光电调制、倍频、光参量振荡；掺加一定量的铁和其他金属杂质的LN 晶体 ，可用作全息记录介质材料。也用于 相位 调解器、非 挥发性 存储器、二次 谐波 发生器、相位 光栅 调解器、大规模集成光学系统。还广泛用于红外探测器、高频宽道带 滤波器 等。
延伸
电光效应是指对 晶体 施加 电场 时，晶体的 折射率 发生变化的效应。有些晶体内部由于自发 极化 存在着固有 电偶极矩 ，当对这种晶体施加 电场 时，外电场使晶体中的固有偶极矩的取向倾向于一致或某种优势取向，因此，必然改变晶体的折射率，即外电场使晶体的光率体发生变化。在光通讯中，电-光 调制器 就是利用电场使 晶体 的折射率改变这一原理制成的。电光 晶体 位于起偏镜和检偏镜之间，在未施加电场时，起偏镜和检偏镜相互垂直，自然光通过起偏镜后检偏镜挡住而不能通过。施加 电场 时，光率体变化，光便能通过检偏镜。通过检偏镜的光的强弱由施加于 晶体 上的电压的大小来控制，从而实现通过控制电压对光的强弱进行调制的目的。